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本文通过对电子注与横向高频磁场相互作用模型的建立，讨论了能发生严重自激的高次模式磁场对电子光学系统的影响并，并通过电磁场仿真软件的模拟得到了与计算结果一致的结果。结果表明，当高次模式严重自激时，电子注在横向的高频磁场作用下会发生明显偏移。
横向高频磁场对电子光学系统的影响
【摘 要】
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本文通过对电子注与横向高频磁场相互作用模型的建立，讨论了能发生严重自激的高次模式磁场对电子光学系统的影响并，并通过电磁场仿真软件的模拟得到了与计算结果一致的结果。结果表明，当高次模式严重自激时，电子注在横向的高频磁场作用下会发生明显偏移。
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,北京 100190 中国科学院研究生院,北京 100039 中国科学院电子
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会
【发表日期】
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2009年7期
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