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<正>在硅光子学的发展过程中,高效率硅基光源一直是亟待解决的难题。目前除了纳米硅、锗硅等硅发光材料之外,稀土Er3+离子掺杂的SiO2MOS结构电致发光器件(简称MOSLED)因其高的发光效率受到关注。与SiO2相比,稀土Er离子在Al2O3中掺杂浓度高,折射率为1.65-1.76,大于SiO2(1.45)。因此Er掺杂的Al2O3硅基平面波导对光的限制更强,光损耗