多元铜基硫族化合物种类繁多，许多体系具有优良的能量转换(光电、热电等)性能。这些应用都与其带隙和带边能带结构等性质密切相关。本报告将主要介绍我们对铜基半导体电子结构性质和热电性能调控的研究进展。我们发现Cu-3d电子态具有局域性和杂化成键双重性质，其相互作用强烈影响了体系的基本电子结构性质。理论研究上，基于LDA/GGA的密度泛函方法不仅低估了材料的带隙值，而且不能正确描述Cu-3d电子态的局域性质，这将导致窄带隙体系中“电子态反转”等计算错误。我们提出可以利用mBJ+U方法克服上述困难。该方法不仅能够可靠地计算铜基体系的带隙值和能带拓扑结构，还可用于准确的预测能级匹配等，其计算精度与GGA+U+G0W0可比但具有更宽的适用范围和更高的计算效率。该方法对于铜基材料的微观设计具有重要意义。基于对电子结构性质的深刻理解和对计算方法的改进，我们系统研究了四方黄铜矿体系热电性质与能带简并度的关系，提出了“赝立方”体系热电性能优化和新热电材料探索设计的系统方法，并得到实验证实。