人类社会的进步从某种意义上来讲是以材料的发展为前提的,性能优异的材料促进了社会的发展,同时社会的高度发展也呼唤着新材料的问世。进入21世纪,材料科学已经从对成分、结构、性能关系的研究演变为对材料的成分、制备、结构、加工、性能等的综合系统的研究,其显著特点是材料科学与材料技术密不可分,而材料科学与技术发展的核心问题是新型先进材料的发现和发展。由于纳米结构材料具有许多常规尺寸材料所不具有的性质,作为交叉学科的半导体电化学技术在半导体工艺上有着举足轻重的地位,通过该技术可以制备出规则的多孔半导体结构材料。自从1990年首次报道多孔Si在室温下可以发出高效率的可见光以来,人们对其进行了大量研究,发现了其有光学、电学、热性能和机械性能等特性。到现在为止,已经制备出了各种各样的孔,其中一些工艺较完善的多孔Si材料已经应用在实际生产和生活中的许多方面,并产生了独特的效果。多孔材料中除了Si被大量研究并已趋近成熟外,人们对其他材料的多孔结构性质了解很少,尤其是多孔Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的形成机理尚处于探索阶段,这在很大程度上限制了多孔材料的生产和应用。在多孔Ⅲ-Ⅴ族化合物中,有许多Si没有的性质,因此我们以多孔Si作为参考来研究多孔InP。通过对电化学刻蚀工艺的探索,成功的制备了InP的微/纳米阵列结构。并对多孔的形成机理进行了研究。通过酸溶液腐蚀法成功的去除了样品表面不规则的多孔层,得到了规则的多孔结构。