相变存储器材料XRD图谱的拟合精修研究

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材料研究领域对物质结构十分关心,XRD方法是研究物质结构的最有力工具。相变存储材料利用材料不同相之间的快速相变以及性质差异来存储信息,而不同相之间的结构差异是其性能差异的主要原因,所以XRD测量其结构对于研究该材料的物理性质、进一步指导结构改进、寻找更优异材料十分重要。本文使用了Materials Studio软件Reflex模块对材料GeSb、Sb90Si10、Te、Ag的X射线衍射图谱进行了全谱拟合及精修,得到了一个晶胞模型与图谱匹配,从结果来看,图谱匹配较好,说明精修后的晶胞模型与实际模型相似程度高,可以认为其为XRD完美地测量了材料的结构。本文的主要工作包括:1、基于Materials Studio软件中的Reflex模块对相变存储器常用的GeSb、Sb90Si10、Te、Ag等材料的X射线衍射图谱进行了全拟合及精修,得到一个晶胞模型与匹配射线衍图谱进行了全拟合及精修,得到一个晶胞模型与图谱匹配。图谱匹配较好,明说明精修后的晶胞模型与实际相似程度高。2、使用磁控溅射制作了GeSb、Sb90Si10薄膜样品,退火结晶后进行XRD测试,得到的衍射图谱经过去背底、寻峰定标等操作确空间群,得到一个晶胞模型并对其进行精修以匹配实验数据。更改参数使拟合误差最小,得到了优化的晶胞模型。本文所得的晶胞模型拟合曲线可以与原实验数据点进行直接对比,可以直观形象地看出拟合匹配度,所得结果更有说服力。
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