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增强型GaN功率器件的动态电阻测试及分析
【摘 要】
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半导体器件是电力电子行业发展的重要推动力。作为第三代半导体器件的重要代表,氮化镓(GaN)功率器件凭借优异的材料性能,在高频、高效、高功率密度的电力电子变换领域(如数据中心、新能源汽车、分布式发电、各类消费电子等)具有十分广阔的应用前景和市场机遇。然而,受器件表面陷阱及缓冲层陷阱的影响,目前主流的GaN器件仍然面临着高压开关过程中的动态电阻退化问题,这为基于GaN器件的变换器设计和损耗估算带来了不
【机 构】
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浙江大学
【出 处】
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浙江大学
【发表日期】
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2019年08期
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