硅(Si)/PEDOT:PSS杂化太阳电池具有无机和有机材料的双重特点,吸引了研究人员的兴趣。随着研究的推进,该类电池在各个方面都有所突破,效率和稳定性明显提升,具有金字塔阵列和背表面钝化结构的硅基杂化太阳电池效率已经达到16.1%。本文以硅基有机无机杂化太阳电池为研究对象,针对该类电池中存在的问题,主要开展硅基表面PEDOT:PSS的成膜性能,硅背表面钝化材料以及硅基底减薄三个方面的研究工作,对高质量的Si/PEDOT:PSS杂化太阳电池的制备具有一定意义。针对PEDOT:PSS在微纳结构下均匀保形的问题,提出了乙醇诱导金字塔阵列成膜法,和气体辅助硅纳米线阵列成膜法。乙醇诱导成膜方法是根据硅表面对不同种类液体的浸润情况,采用浸润性好的乙醇作为诱导层,诱导浸润性差的PEDOTPSS溶液,使PEDOT:PSS溶液借助乙醇实现在硅表面良好接触的效果;气体辅助成膜方法是利用内外气压差的原理,在气压的作用下,将PEDOT:PSS溶液直接压入孔洞中,增大溶液与硅表面的接触。这两种方法对原始PEDOT:PSS溶液的性质无影响,并具有操作简便,成本低廉的特点,采用这两种方法制备的太阳电池的光电转换效率有明显的提升。在优化PEDOT:PSS成膜性能的基础上,开展了利用宽带隙金属半导体氧化物作为硅基杂化太阳电池背表面钝化材料的研究。采用常温溶液法沉积成膜,成功制备了氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)两种钝化薄膜,并对其机理进行了分析研究。证明了 Si-O-Sn键的存在,以及Si与Sn02材料间的类欧姆界面接触,并采用密度泛函理论(DFT)计算了 Si-O-Sn键之间最佳电子输运方向。另外,使用碱性溶液减薄法对硅基底进行减薄,成功制备了厚度为2-30μm可调的柔性透光硅基底。采用金属辅助刻蚀法,实现了超薄硅基底上硅纳米线阵列的制备并保证其基底具有柔性。证明了具有硅纳米线阵列的超薄硅基底具有减反和增透效果。