随着通信频率向高频拓展,低介电常数、高品质因数的微波介质陶瓷材料得到广泛的应用。而低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC）技术是实现微波元器件小型化、集成化、多功能化的重要途径。因此,开发具备低介电常数、高品质因数的微波介质陶瓷材料,同时降低其烧结温度,具有十分重要的研究意义。Li₂MgSiO₄微波介质陶瓷的介电常数为5⁶,品质因数Q高达15000GHz,并且能够与Ag金属共烧,然而,其烧结温度较高,必须将其烧结温度降低至960℃以下,才能在LTCC中发挥其性能优势。本论文首先研究了Zn²⁺离子置换Mg²⁺离子对Li₂MgSiO₄陶瓷的晶相结构、微观形貌及介电性能的影响。然后在最佳配方的基础上分别研究了自制的玻璃A、LMZBS玻璃及LiF-Bi₂O₃复合添加剂对Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的低温烧结性能的影响,并在此基础上,探究Co²⁺离子取代Mg²⁺离子对材料性能的影响。最后选取TiO₂对玻璃A助烧的Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的谐振频率温度系数进行调整。主要研究结果如下:（1）研究了Zn²⁺离子取代Mg²⁺离子对Li₂MgSiO₄陶瓷的晶相结构、微观形貌及介电性能的影响。研究发现,当Zn²⁺取代量为0.2时,制得的陶瓷样品只含有Li₂MgSiO₄相。Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷在1200℃烧结2h的综合介电性能最佳:ε_r=5.8,Q×f=49607GHz,τ_f=-148ppm/℃。（2）研究了玻璃A、LMZBS玻璃、LiF-Bi₂O₃复合添加剂及Co²⁺取代对Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷烧结性能的影响。研究发现,添加玻璃A或LMZBS或Li F-Bi₂O₃均可将Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的烧结温度降低至900℃,且不引入杂相。其中,1.5wt%玻璃A+Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的综合介电性能最佳:ε_r=6.1,Q×f=43594GHz,τ_f=-129ppm/℃;5wt%LMZBS+Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的介电性能为:ε_r=5.9,Q×f=25660GHz,τ_f=-204ppm/℃;3wt%LiF+3wt%Bi₂O₃+Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的介电性能为:ε_r=6.4,Q×f=23868GHz,τ_f=-125ppm/℃。在3wt%LiF+3wt%Bi₂O₃助烧的基础上,采用Co²⁺取代Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄中的Mg²⁺,虽未引入杂相,但其品质因数有所恶化。当Co²⁺的取代量为0.02时,900℃烧结2h的Li2(Zn_0.2Mg_0.78Co_0.02)SiO₄陶瓷的介电性能为:ε_r=6.2,Q×f=13514GHz,τ_f=-120ppm/℃。（3）研究了TiO₂对玻璃A助烧的Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的谐振频率温度系数的影响。研究发现,添加TiO₂可以明显改善玻璃A助烧的Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的谐振频率温度系数,但引入了Li₂（TiO）（SiO₄）相和Li₂Ti₂O₄相,其介电常数也因TiO₂的加入而增大,其Q×f也有所恶化。当添加35wt%的TiO₂,在950℃烧结2h的Li₂(Mg_0.8Zn_0.2)SiO₄陶瓷的综合介电性能最佳:ε_r=10.2,Q×f=22073GHz,τ_f=1.7ppm/℃。