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本文采用简单的物理气相沉积法制备了形貌新颖、产量较高的Cu掺杂的ZnO单晶纳米号角。建立了纳米号角的结构模型：号角的六个对称的倒梯形侧壁围成了倒六棱锥的空腔，生长方向是[0001]，棱锥面是(0110)晶面。提出了纳米号角可能的生长机制，指出Cu可能是纳米号角生长的催化剂。发现纳米号角具有具有室温铁磁性。发现纳米号角和衬底之间可能存在非线性的磁性耦合。M-H曲线中的线性上升部分和ZFC曲线和FC曲线的分叉，可能跟自旋玻璃的磁阻挫效应和自旋冻结有关。得到了Mn掺杂浓度在7％～11％的ZnO纳米线，在5K下的矫顽力高达849Oe。对ZnO纳米线的掺杂机制进行了讨论，提出了以金属氯化物作为活化剂的新颖的掺杂思路，可以大大提高掺杂效率。我们还得到了Cu/ZnO纳米电缆。得到产量很大的具有六角形规则截面的ZnO单晶纳米棒。在室温下在单根纳米棒上观测到了自由激子发光峰和多阶声子伴线，认为可以归因于单晶纳米棒的近乎完美的结晶质量和小尺度下的巨振子强度效应。发现了奇数阶声子伴线禁戒现象，认为可以利用LO声子和激子的Frohlich散射理论解释。由于晶体缺陷会导致禁戒解除，只有在质量非常完美的ZnO晶体上才能观察到奇数阶声子伴线禁戒现象。讨论了ZnO晶体在室温下的近紫外峰的形成原因，认为是由FX-1LO和FX-2LO组成的，其中以FX-1LO占主导。