随着40纳米及以下集成电路工艺逐步走向成熟。传统集成电路制造工艺面临更多的挑战和更高的要求。其中湿法清洗工艺是整个集成电路工艺中必不可少的组成部分。由于对硅片颗粒杂质尺寸、硅片均匀性等要求越来越高,传统槽式清洗工艺已经被单枚清洗工艺所取代。但随之带来了工艺成本提高、环境污染加重等新的问题还需解决。本文主要研究40纳米及以下节点DIO₃代替SPM药液在前段浅掺杂（LDD）聚合物剥离工艺中的应用,旨在通过改变现有工艺药液,在不改变现有工艺集成和器件良率的前提下,有效降低工艺成本同时减少环境污染和安全隐患。本文首先从现有SPM聚合物剥离清洗工艺的使用现状出发,把它与DIO₃工艺进行比较,分析DIO₃工艺的优势与应用难点（硅损耗的控制）。之后对这两种聚合物剥离工艺的原理进行比较分析,并在考虑到现有资源的情况下确定了研究实施方案。最后通过大量实验确认了工艺条件并解决了硅损耗等问题,并且分析量化了硅损耗的过程,同时分析了实验中发现的一些现象并给出合理解释（包括在blanket wafer与full loop wafer中所存在硅损耗差异等）。最后对实验的硅片与现有SPM工艺条件下的硅片横向比较,通过TEM切片测试、缺陷扫描和WAT电性测试,得出DIO₃完全可以代替SPM在40纳米浅掺杂聚合物剥离清洗工艺中应用的结论。此外,通过28纳米工艺中切片比较实验,为DIO₃代替SPM在28纳米工艺中应用打下基础。