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在半导体材料的发展中，一般将Si，Ge称为第一代电子材料，GaAs，InP，GaP，InAs，AlAs等称为第二代电子材料，而将宽带隙高温半导体ZnO，SiC，GaN，AlN以及金刚石等称为第三代半导体材料。随着科学技术的发展，对能在极端条件（如高温、高频、大功率、强辐射）下工作的电子器件的需求越来越迫切。常规半导体如Si，GaAs等已面临严峻挑战，故发展宽带隙半导体（Eg＞2.3 eV）材料已成为当务之急。 在本论文中，我们主要讨论了宽带隙半导体材料ZnO、SiC薄膜的制备及其物性研究。 对于ZnO薄膜，我们采用TFA-MOD（Trifluoroacetate Metalorganic Deposition）方法，制备出平整、致密且有取向的ZnO薄膜。对ZnO薄膜的制备，反应的热化学过程和ZnO薄膜（及ZnO纳米体系）的光学性质进行了深入的研究： ● ZnO薄膜的制备：我们采用TFA-MOD方法，经过大量试验摸索后，成功制备出平整致密的ZnO取向薄膜。将该法应用于ZnO薄膜的制备尚属首例，至今未见同样的报道。 ● 对前驱体的优化：在实验中我们发现，前驱体溶胶对最终得到的ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量以及其他诸多性质都会产生至关重要的影响。因此我们把前驱体溶胶及其老化过程作为研究的重点，解决了困扰多时的前驱体气化问题，并指出三氟乙酸锌的水解是抑制气化的关键所在，而Zn4O（CF3COO）6是最有可能的水解产物，并给出其空间立体结构。进一步加入单乙醇胺（MEA）对溶胶进行优化，获得了更为优质的ZnO薄膜。 ● 对ZnO光致发光的研究：我们分别就ZnO薄膜和ZnO纳米棒两种体系的光致发光进行了对比研究。主要探讨的对象是紫外、蓝光、绿光的起源及性质。结果表明380 nm紫外发光峰为ZnO的近带边（NBE）发射；505 nm绿光的发光中心为单电离氧空位（Vo+）；520 nm绿光则可能是导带底到OZn缺陷能级的跃迁；580和625 nm的黄橙光不是很常见，它们的来源并不十分清楚，但可以肯定的是跟ZnO中的富氧型缺陷有关。薄膜样品在900℃热处理后出