稀磁半导体（DMS）因其可以利用电子的电荷和自旋特性同时来工作,在新一代光电器件、传感器件、量子计算和量子通信器件等方面具有广阔的应用前景,尤其是（Ga,Mn）N更以超过室温的Tc和本底材料GaN可以在高温、大功率光电器件领域广泛应用而得到密切的关注.同时,（Ga,Mn）N在太阳能电池方面也极具前景,在（Ga,Mn）N中,Mn的掺入会引进中间带,大大提高了太阳能电池效率。实验是在自行研制的配有反射高能电子衍射（RHEED）原位监测设备的电子回旋共振—等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）装置上进行的。本文采用二茂锰（Cp₂Mn）作为锰源,高纯氮气（N₂）作为氮源,分别利用三乙基镓（TEGa）和三甲基镓（TMGa）作为镓源,在蓝宝石（a-Al₂O₃）衬底上和石英衬底上生长（Ga,Mn）N薄膜。利用RHEED、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）表征（Ga,Mn）N薄膜的表面形貌和结构特征,利用光致发光（PL）谱表征薄膜的光学性质,超导量子干涉仪（SQUID）用来表征薄膜的磁性。a-Al₂O₃衬底上生长的（Ga,Mn）N薄膜Mn含量可达3%,具有良好的（0002）择优取向和纤锌矿结构,薄膜为单一相,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成,具有一个结合能为453meV的Mn的浅受主,薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K。在石英衬底上生长的（Ga,Mn）N薄膜Mn含量较少,适当的TMGa流量、低的生长温度和较低的N₂流量有利于提高薄膜中的Mn含量。薄膜为多晶,有Mn₃Ga杂相出现。室温PL谱测量表明低Mn含量薄膜具有带边发射峰和一个Mn相关的2.51eV的缺陷发光峰,较高Mn含量样品中带边发射峰消失,增加一个2.97eV的与Mn有关的缺陷发光峰,Mn是一个浅受主,薄膜在室温下具有反铁磁性。