本文系统研究了Mg₂（Si,Ti）O₄基低介陶瓷的介电性能,这类材料可作为基板材料应用到电子电路中。如何在不降低其介电性能的前提下,通过添加助融剂,降低烧结温度是本文研究的重点。本文采用高温熔融法和溶胶-凝胶法制备两种玻璃粉料,作为烧结助剂分别添加到Mg₂(Si_1-xTi_x)O₄体系中,均使烧结温度下降。通过讨论玻璃和低熔点氧化铋的添加量以及B位Si/Ti比对该体系的微观形貌和介电性能的影响,揭示了一些改性的基本规律,得到了中温烧结、介电性能优良的Mg₂（Si,Ti）O₄基陶瓷。本文还对基体材料的合成路线进行改进,最佳工艺为:1200℃煅烧2h预合成前驱体Mg2SiO4、Mg2TiO4,再二次配料合成Mg₂(Si_1-xTi_x)O₄。在Mg₂(Si_1-xTi_x)O₄(x=0.05、0.1、0.¹⁵、0.2)基料中,掺入2wt%的用高温熔融法制得的玻璃,于1200℃烧结2h,所得样品的介电损耗均在0.00012⁰.0002范围内,且随着B位Ti对Si的取代量的增加,Mg₂(Si_1-xTi_x)O₄陶瓷介电常数（ε）增大,介电常数温度系数（αε）向负值增长,当Ti取代量x=0.1时,1MHz下测得样品的介电性能最佳:ε=14.2,tanδ=1.2×10^-4,αε=1.7×10^-6/℃,ρv=4.2×10¹⁵Ω·cm;掺入2wt%的用溶胶-凝胶法制得的玻璃粉料,随着后续热处理温度的升高,粉料的活性增大,陶瓷体的致密度也随之提高;掺入2wt%的低熔点氧化物-氧化铋,随保温时间的增加（≤6h）,损耗（tanδ）减小,但当保温时间增至8h时,损耗（tanδ）再次增加,于1280℃烧结6h,所得样品的介电性能最佳:ε=14.6,tanδ=3.6×10^-4,αε=9. 9×10^-6/℃,ρv= 3.1×10¹⁵Ω·cm。