本论文分为两部分:采用脉冲激光沉积方法制备YIG磁性薄膜和设计制备了3D吸波结构。1988年发现巨磁阻效应以后,有关自旋的各种物理、材料和器件受到关注并开展了丰富的研究,以磁性隧道结为基础的非易失性存储器和以自旋电子学为理论基础的自旋阀器件从工厂走向了市场。自旋电子学中自旋信号的传输不依赖电荷的移动或转移,可以避免焦耳热的产生。为了研究和完善自旋流信号的输运特性,必然需要制备良好的自旋输运的材料。本文综合已有文献的实验结果,探索使用激光脉冲沉积技术(PLD)生长钇铁石榴石(YIG)薄膜的工艺参数,以Si<100>和GGG<111>为衬底分别研究了生长温度、生长压强、激光频率等条件对YIG薄膜成膜质量的影响。首先实验确认了750℃时YIG薄膜的生长质量最好,然后以此为基础,研究了生长气压和激光频率对薄膜的生长速度、结晶质量和表面平整度的影响。经优化,在条件为:氧气压7.5mTorr和激光重复频率4Hz时,制备得到优质YIG样品,表面粗糙度小于1nm,生长速率为2nm/min。在射频、毫米波、太赫兹等频段的电磁波的研究中,吸波材料是一种重要的应用材料。为了提高吸收效率,减轻吸波涂层的厚度,本文设计了两种具有3D结构的人工电磁结构,并采用3D打印技术制备了样品,进行了反射率测量和结果分析。两种结构分别是:锥尖向外、以正方形为底的周期排列的四棱锥结构和锥尖向内的四棱锥空腔周期结构。首先,用电磁仿真软件HFSS对单元体积固定为12mm3不同尺寸的模型进行了仿真,结果表明底边长为1mm、高为12mm时吸波带宽大,吸收率高;底面边长为2mm、高为3mm时吸波带宽有8GHz。考虑实际使用中吸波层厚度不宜超过3mm,我们制造了2mm*2mm*3mm的样品,并进行了反射率测量,测得其在2-5GHz和10-18GHz有明显的吸波效果。