【摘 要】
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功率MOSFET开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、工作频率高,广泛应用于消费类和工业类等领域,主要用于功率变换。作为其中的典型代表,SGTMOSFET（ShieldGateTrenchMetalOxideSemiconductorField-effectTransistor）器件通过体内的屏蔽栅电极增强对器件漂移区的二维耗尽,优化器件漂移区的峰值电场的位置,在耐压的情况下可降低生长的外延层电阻率
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功率MOSFET开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、工作频率高,广泛应用于消费类和工业类等领域,主要用于功率变换。作为其中的典型代表,SGTMOSFET（ShieldGateTrenchMetalOxideSemiconductorField-effectTransistor）器件通过体内的屏蔽栅电极增强对器件漂移区的二维耗尽,优化器件漂移区的峰值电场的位置,在耐压的情况下可降低生长的外延层电阻率减小导通电阻,同时栅电极和漏电极的重叠面积因引入的屏蔽栅电极而减小,使得栅漏电容显著降低。SGTMOSFET兼具低功率损耗、高开关速度、高频特性好等优势,成为当前中低电压领域的主流开关器件。由于屏蔽栅的引入,SGT存在着与时间相关的雪崩击穿不稳定性,这已经严重影响了SGT器件的可靠性。迄今为止关于SGT击穿稳定性的研究仍然没有完善,也没有有效的设计方案可以指导如何提高该类器件的击穿稳定性,基于此,本课题研究SGTMOSFET击穿稳定性机理,分析设计、工艺因子对其击穿稳定性的影响,提出优化方案。文中主要工作如下:1、开展SGTMOSFET击穿不稳定性的机理研究,分析了SGT...
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