本课题来自国内某科研单位的SOI SPICE/ CMOS模型参数提取技术研究项目。本文主要任务是:根据部分耗尽SOI MOS器件特点,设计器件测试结构和测试条件,确定提取策略和验证方法,最终提取完整适用的0.8μm SOI CMOS SPICE器件模型参数,形成有自主知识产权的SOI核心技术,为0.8μm SOI CMOS工艺平台的建设提供技术支撑,为抗辐射电路提供设计加工服务。本文研究了部分耗尽SOI器件特性和模型参数,设计了适合于0.8μm SOI器件模型参数提取的H型栅体接触NMOS和PMOS器件测试结构、测试条件、参数提取策略、优化提取流程和验证电路。本文完成了测试器件和验证电路的版图设计和制版,进行了前道工艺流片,用探针台和HP4155B参数测试仪实现了器件的圆片级参数测试,利用IC-CAP软件进行参数提取和器件仿真,最后用实际验证电路对提取的模型参数进行了验证。本文完成了0.8μm SOI / CMOS SPICE模型参数提取和验证工作。通过反相器、51级环振电路和16分频器电路,验证了提取的模型参数的有效性和实用性。本文的亮点是完成了模型参数提取的全过程,提供了经过验证可以实用的0.8um SOI /CMOS SPICE模型参数,证明具备提取完备的SOI SPICE器件模型参数的能力,基本达到课题的研究目标。