钨酸铋钠晶体（分子式：NaBi（WO₄）₂，简称：NBW）是一种性能优良的闪烁晶体，具有衰减时间短、抗辐照损伤能力强、密度大、辐照长度短、不潮解及机械加工性能好等优点，在高能物理、核物理等方面有着广泛的应用前景。 本论文分别采用了分析纯及高纯的原料，通过提拉法生长NBW晶体，并对闪烁晶体的发光机理进行了讨论。实验主要围绕提高晶体的质量和提高晶体抗辐照性能两个方面进行。通过实验确定NBW晶体的最佳生长工艺条件为：固-液界面中心的轴向温度梯度0.8℃／mm、径向温度梯度越小越好、拉速为2～4mm／h、转速为12～18 r／min、冷却速率为30℃／h，并成功生长出了尺寸为Φ40×50mm的高质量NBW晶体。通过对NBW晶体X射线衍射曲线的数据分析，，得出NBW晶体属于四方晶系，空间群为I4₁／a，晶胞参数为：a=b=5.30 A，c=11.58 A；NBW晶体的透过率和抗辅照损伤能力实验表明：NBW晶体的抗辐照损伤能力很强，达到了10⁷rad数量级；NBW晶体的发射谱实验表明：它的发射峰在540nm附近，位于可见光绿光波段，能很好地和硅光电二级管（SPD）匹配。最后讨论了晶体着色的原因及退火对晶体抗辐照性能的影响，指出原料不纯及氧空位缺陷是NBW晶体着色的主要原因；提高原料的纯度、对晶体进行高温富氧退火是改善NBW晶体抗辐照性能的两种方法。