在电力电子、开关电源电路以及各种电机驱动电路中,越来越高的工作频率将大幅度降低其中的被动元件(电感和电容)的体积及其上面的功率损耗,但对电路中使用的大功率开关二极管提出了更短的反向恢复时间、更低的开关损耗的要求。目前,这些电路中应用最多的仍然是PIN结构的快恢复和超快恢复二极管。但普通的PIN二极管不具备反向软恢复特性,反向恢复过程中会出现大的反向峰值恢复电流和反向峰值电压,使变换电路的损耗和电磁干扰(EMI)增大,同时对二极管以及主开关器件的稳定工作造成了威胁。选用具有软恢复特性的快恢复二极管能显著降低这些不利影响。本文通过对PIN高反压快恢复二极管在作为续流二极管(Freewheeling Diode(FWD))应用时,其反向恢复过程中漂移区中载流子变化过程的分析,指出获得软恢复特性,软恢复因子较大的快恢复二极管的关键在于控制正向导通时存储在P iN二极管漂移区中的超量载流子的分布状态。如果能获得靠近P+N_结处分布的载流子浓度低,而靠近N+N_结处的浓度高的“倒梯形”分布,将会获得更大的软恢复因子、更软的恢复特性。综合了PIN二极管和肖特基二极管优点的PIN/肖特基混合二极管---MPS( Merged PIN/Schockey)二极管具有更快、更“软”的反向恢复特性,能满足现代电力电子技术的要求。本文叙述了MPS二极管的基本原理以及其具有反向软恢复特性的原因,讨论了MPS二极管结构设计与工艺制造中的问题,通过计算机软件进行器件结构和性能仿真和研制实践论证了反向恢复时间、正向压降以及反向击穿电压与MPS结构参数之间的关系,提出了此种器件的设计原则,并采用该结构研制了反压达到400V,正向电流达到10A,反向恢复时间小于50ns,软恢复因子达到1.2的软恢复二极管。