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本文采用氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜的方法在硅衬底上合成了大量的一维GaN纳米结构,通过研究不同生长条件对制备一维GaN纳米结构的影响,初步提出并探讨了采用此方法合成一维GaN纳米结构的生长机制。采用溶胶―凝胶法和电泳沉积法在砷化镓和硅衬底上制备出了GaN薄膜,研究了退火温度对GaN薄膜的结晶质量和表面形貌的影响。用射频磁控溅射系统,首先在硅衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,接着在氨气气氛中退火制备一维GaN纳米结构。用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)等测试手段详细分析了GaN纳米材料的结构、组分、形貌和光致发光特性。结果表明:合成的一维纳米结构为六方纤锌矿结构的GaN。氨化温度、氨化时间和BN层的厚度对一维GaN纳米结构的结晶程度和形貌具有很大的影响。室温下用320nm波长的光激发样品表面,显示出较强的373nm处的紫外光发射和434nm处的弱紫光发射,发光强度随氨化温度的升高而逐渐增强,但发光峰位基本保持不变。由于合成的大部分纳米结构的直径均大于GaN的玻尔激子半径(11nm),超出了量子限制效应起作用的范围,因此,对于373nm处的带边发光峰,与文献报道的GaN体材料的发光峰相比,没有发生蓝移。对于紫光发射可归结为缺陷或表面态发光。有关的发光机制还在进一步的研究中。一维GaN纳米结构的生长机制可归结为气体―固体(VS)生长机制,其中BN中间层在氨化过程中由于重组而产生的缺陷和位错为GaN晶核的形成起到了至关重要的作用。采用溶胶―凝胶法分别在砷化镓和硅衬底上制备出了GaN薄膜。分别用XRD、XPS、SEM和PL等测试手段对样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征。结果表明:经高温退火后,样品发生晶化,并生成六方纤锌矿的GaN。随着退火温度的升高,晶粒尺寸变大,晶体质量逐步提高。其中退火温度为950℃时,样品的结晶质量和表面形貌最好。室温下,在波长为280nm光的激发下,可以观察到