硼—钴共掺杂TiO2纳米管阵列的制备及光电催化性能研究

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本文针对TiO2光催化剂对太阳光利用率较低、光生电子和空穴复合率偏高等问题,采用阳极氧化法,以TiO2纳米管阵列为研究对象,利用FE-SEM、XPS、XRD、DRS等现代测试技术,系统地研究了硼与钴掺杂对纳米管阵列光催化性能的影响。通过调整电解液中氟硼酸钠的浓度,采用阳极氧化法在制备TiO2纳米管阵列的同时对其进行硼元素掺杂,场发射扫描电镜(FE-SEM)结果表明:纳米管的厚度约为15nm,管长约为950nm,在电解液中加入氟硼酸钠对TiO2纳米管阵列的形貌影响不大。X射线光电子能谱(XPS)分析表明:B原子掺杂进入TiO2晶格中,以Ti-B-O键存在。X射线衍射(XRD)以及紫外可见漫反射(DRS)分析结果表明:硼掺杂的TiO2主要以锐钛矿相存在;掺杂后TiO2纳米管的吸收光谱拓宽至可见光区,同时提高了在紫外光区的吸收;硼掺杂量为0.52at.%时TiO2纳米管阵列对可见和紫外光吸收最大,在相同实验条件下,光电流密度以及对甲基橙溶液的处理率均高于其他掺杂量。采用离子交换法在硼掺杂TiO2纳米管阵列上制备硼-钴共掺杂TiO2纳米管阵列。结果表明:当加入醋酸钴浓度为0.02mol/L时制备的硼-钴共掺杂TiO2纳米管阵列具有最佳的光吸收性能和光电催化活性,FE-SEM结果表明:钴元素的掺杂对TiO2纳米管阵列的形貌影响不大,XPS、XRD和DRS分析结果表明:钴元素在硼掺杂TiO2纳米管阵列上主要以CoO的形式存在,钴元素的掺入使硼掺杂TiO2纳米管阵列的光电稳定性和光响应性能均有所提高;和未掺杂TiO2纳米管阵列相比,紫外光下对甲基橙的去除率提高了52.3%,可见光下提高了28.1%;与硼掺杂TiO2纳米管阵列相比,紫外光下提高了14.1%,可见光下提高了16.6%。本文主要对TiO2纳米管阵列协同γ辐射处理废水的可行性进行了初步的探讨。实验结果表明:TiO2纳米管阵列的存在明显提高了废水的降解率。当pH值为3、硫酸钠浓度为0.4mol/L时,TiO2纳米管阵列和γ辐射协同处理甲基橙染料废水的处理率最高,吸收剂量为3KGy时,降解率为86.1%,和单独进行γ辐射相比,降解率提高了7.9%。
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