GaN异质结HEMT器件以其禁带宽度大、击穿电压高、工作温度高、沟道二维电子气密度高、输出功率密度大等优点,广泛应用于射频微波、电力电子等重要领域。本文研究了HEMT器件中的栅极接触和源漏欧姆接触的制备以及特性表征。本文首先在常规Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的基础上,采用了新型多层堆栈金属欧姆接触结构Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ni/Au。通过研究发现多层欧姆接触中的Ti/Al两种金属对接触电阻率以及退火后的表面形貌的影响机制：Al有助于催化Ti与AlGaN反应降低接触电阻率；Al的含量过多会导致Al-Au、Al-Ni合金的增加,加剧表面突起的生成。在恒定Ti/Al叠层金属比例的基础上,提出了新型多层变比例欧姆接触结构。通过实验取得了最低0.018Ω.mm优异接触电阻率,退火后表面突起显著减少,欧姆接触的边缘平整无裂缝。通过TEM、EDX等方法对结果进行分析,证明多层变比例欧姆接触结构在半导体一侧有利于反应,在表面金属一侧有利于减少合金突起。在欧姆接触的制备过程中,解决了多层超薄金属的高纯度电子束蒸发和欧姆退火过程中样品表面温度分布不均匀的问题。其次研究了HEMT器件中的栅接触工艺,在常规肖特基金半接触的基础上,通过实验发现表面热氧化处理对器件性能的提升,进而提出了表面热氧化处理的新型肖特基栅接触工艺。通过改变热氧化处理工艺参数系统地研究了氧化温度对饱和漏电流、击穿电压、栅泄漏电流等器件参数的影响。通过分析发现热氧化处理过程对AlGaN中表面态的钝化作用。实验结果显示样品在450℃氧气中处理20分钟后,反向栅漏电降低了两个数量级,跨导提升了15%,击穿电压增加了两倍以上