Mn²⁺掺杂的ZnO-B₂O₃-SiO₂（ZBSM）体系玻璃是一种新型的光存储记忆材料,其在显像、存储、信息处理等领域有着广阔的应用前景。实验中,采用高温熔融的方法制备了性能优异的ZBSM光存储记忆玻璃;系统表征了其发光及存储性能,并进行了光存储实验模拟;研究了激活离子、辅助激活离子、基质组成等不同因素对ZBSM体系玻璃的光存储性能及陷阱分布影响;同时也探讨了组成变化对玻璃结构的影响,并以此为依据进一步解释了陷阱能级分布的变化。采用高温熔融法,从基质玻璃制备和激活离子Mn²⁺掺杂两方面入手,对ZBSM光存储玻璃进行了试制,得到了具有光激励长余辉性能的ZBSM玻璃,并确定了该体系玻璃的组成范围和熔制制度。通过荧光光谱、余辉光谱、热释光谱和顺磁共振谱等测试手段,系统表征了ZBSM玻璃的发光和存储性能。其中,荧光光谱及余辉光谱的测试说明:读出时信号光（即光激励余辉）与荧光中Mn²⁺的特征发射均来源于Mn²⁺的⁴T1（⁴G）→⁶A1g（⁶S）跃迁;而热释光曲线和顺磁共振谱的测试结果则说明,材料内部至少存在两种不同能级深度的陷阱,中心深度约为1.02eV的深陷阱能级可对电子实施稳定存储。并通过光存储实验,对ZBSM玻璃的图像存储和逻辑运算等功能进行了模拟。通过热释光谱研究了激活离子、共激活离子、基质组成等不同因素对ZBSM玻璃的光存储性能及陷阱分布的影响,结果发现:激活离子Mn²⁺的增多可以提高存储能量,但也存在浓度淬灭;适量的Yb³⁺可以抑制Mn²⁺的浓度淬灭,但会对光存储产生不利。辅以ZnO-B₂O₃:Mn²⁺（ZBM）、ZnO-SiO₂:Mn²⁺（ZSM）和ZnO-P₂O₅:Mn²⁺（ZPM）三体系玻璃的热释光研究发现,基质组成变化对材料光存储性能及陷阱分布具有较大影响,ZnO含量大于60mol%时,中心深度约为1.02eV的深陷阱能级在上述四体系玻璃中均有一定浓度的分布,且陷阱能级深度和浓度均会随网络形成体SiO₂、B₂O₃、P₂O₅不同而变化,而相比之下Si-O网络更适于深能级陷阱的产生。通过对ZBM、ZBSM两体系玻璃的红外吸收光谱的测试,研究了玻璃中各种结构基团随组成的变化,归纳了ZBSM体系光存储玻璃的特征结构,并以此为依据进一步解释了基质组成对陷阱能级分布的影响。