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随着现代通信工具的微型化、集成化，微波介质陶瓷作为谐振器、滤波器、振荡器等微波元器件的关键材料而逐渐受到人们的广泛重视。作为上述器件的微波介质陶瓷必须具备以下性能：高介电常数εr；低介电损耗tanδ；谐振频率温度系数τf尽可能地接近于零。
(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7、(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7微波介质陶瓷具有高的介电常数和低的烧结温度而受到材料工作者的广泛关注，但其烧结工艺和介电性能还有待进一步改进。本研究以(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7、(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7低温烧结铋基焦绿石为基础，通过离子取代，添加烧结助剂，优化陶瓷的烧结工艺和介电性能；并在此基础上，对焦绿石的结构演变及改性机理作了理论上的分析。
Sm，Y离子取代(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷A位上的Bi离子，使得陶瓷的烧结温度升高，从1000℃升为1100℃。Sm，Y离子能取代Bi3+进入焦绿石晶格后，形成固溶体，但其取代量有限(Sm、Y均小于0.6)，随着取代量的增加，相结构由立方焦绿石相逐渐向复相转变；经Sm、Y取代的BZN陶瓷，介电性能得到了优化。文中(Bi1.5-xLnxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7的介电性能分别为：介电常数ε=84～155；介电损耗tanδ=1.06×10-3～0.9×10-3；频率温度系数τf=-457ppm～21.8ppm。BiVO4掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷，烧结温度大幅度降低，由1000℃降为850℃，且其频率温度系数得到改善(从-450ppm/℃升至-337ppm/℃)。Bi4Ti3O12掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷，烧结温度基本不变，但其介电性能得到改善。介电常数由155升至192，介电损耗由6.93×10-4降至4.21×10-4，频率温度系数由-450ppm优化至-254ppm。
Y离子取代(Bi1.5Zn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7陶瓷A位上的Bi离子，使得陶瓷的烧结温度升高，从1075℃升为1200℃。在整个掺杂范围内，Y离子均能取代Bi离子形成立方焦绿石固溶体。经Y离子取代的BZNT焦绿石陶瓷，介电性能得到了优化。介电性能为：ε=94～171；tanδ=6.39×10-4～1.37×10-3τf=-89ppm～-538ppm，频率稳定性显著增强。