SiO2具有良好的化学稳定性和热稳定性，与硅半导体材料良好的界面结合，在催化剂载体、介质层材料以及硅基光电子材料等领域具有广泛的应用。在SiO2中存在着多种良好发光性能的光活性缺陷中心，这使得SiO2在光学领域具有良好的应用前景。但到目前为止，对于SiO2中依然有很多光发射的物理机理还不明确，其发光效率还无法满足光电子器件的需要，还需要进一步提高发光效率。近几年，注入Ge+的SiO2中可以获得几乎遍布整个可见光区强光发射，对其发光机理的研究不仅具有重要的理论意义而且具有重要的应用价值。　　 本论文利用离子注入机获得注入Ge离子的SiO2薄膜和通过超高真空磁控溅射设备制备富硅SiO2复合薄膜，并利用快速热退火工艺对样品热退火处理，采用荧光分光光度计和拉曼光谱仪等仪器对样品进行了表征。得出了如下结论:　　 1.注入Ge离子的SiO2薄膜快速热退火处理后，在3.10 eV和2.70 eV附近检测到了两个明显的PL峰。通过研究发现，3.10 eV附近的发光峰由≡Si-Si≡缺陷中心和≡Ge-Ge≡缺陷中心共同决定，而≡Ge-Ge≡缺陷中心浓度的变化是3.1 eV附近PL峰峰位的移动主要原因。　　 2.利用波长为514.5 nm的Ar+激光光源照射注入Ge+的SiO2薄膜，检测到1.70eV和1.93 eV两个光致发光带，同时还获得了报道较少的2.00 eV发光带。研究发现1.93 eV发光峰起源于离子注入SiO2层中的非桥键氧缺陷中心，而1.70 eV发光带则与SiO2和纳米晶粒界面缺陷的辐射复合有关。　　 3.采用射频磁控溅射技术制备的富硅SiO2薄膜，在2.83 eV和2.99 eV附近检测到强发光双峰结构。研究获得了较为理想的溅射条件和退火条件，同时还对双发光峰的缺陷起源和光学性质进行深入的研究，发现了双峰应与Si空位缺陷有关，其中2.99 eV发光峰可能来源于Si单空位缺陷中心，2.83 eV发光峰可能来源于Si多空位缺陷中心。