磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM)是一种新型非易失性存储器,具有横截面积小、功耗低、读取时间短等优势,它是通过磁性薄膜的磁矩方向的变化从而改变其电阻的大小来记录不同的数据。随着自旋转移矩的发现,能够通过极化电流控制磁性薄膜磁矩的翻转,为MRAM的信息读写提供了一种简单可靠的方式,推动磁性随机存储器进一步发展到自旋传输矩磁随机存储器(spin transfer torque magnetic random access memory,STT-MRAM)阶段。面内STT-MRAM在存储器市场已取得一定的成就,与之相比较垂直各向异性STT-MRAM存储元尺寸更小、使自由层磁矩翻转的电流密度阈值更小,同时兼具良好的热稳性,符合未来归一化随机存储器发展的需求。文章对垂直各向异性STT-MRAM信息的写入进行了模拟仿真。在第一章中主要介绍了存储器的分类,STT-MRAM的信息存储原理,陈述了近年来科研人员对具有垂直各向异性磁性隧道结材料近的探究进程,所取得的一些研究成果。第二章采用微磁学模拟的方法研究了铁磁材料中的各项能量。第三章以圆薄膜为模型,建立了在自旋矩作用下磁性自由层磁矩的进动方程,并在LLGS方程的基础上运用四阶龙格库塔法对其自由层磁矩的进动轨迹实现了仿真。第四章根据所选材料的参数设定,分析了电流密度、饱和磁化强度、阻尼系数、各向异性常数对自由层磁矩翻转的影响,其结果可为垂直各向异性STT-MRAM的研制提供参考。最后对仿真进行总结并展望了进一步研究的内容。