磷酸氧钛钾（KTiOPO₄，简称KTP）有着优良的非线性光学性能及电光性能。作为单晶，KTP有着优异的机械性能、化学稳定性和高的抗光损伤阈值。目前，KTP已作为一种商业化的晶体广泛应用于中小功率固体激光器的倍频（SHG）、和（差）频、光参量振荡（OPO）和放大（OPA）等。KTP同样也是优良的电光晶体候选者，在激光的调制等方面有着广泛应用前景。 本实验采用顶部籽晶熔剂法生长了纯的以及不同掺杂的KTP晶体，用特殊工艺处理技术将普通熔剂法KTP的电导率降低了三个数量级，达到了10^-10（Ωcm）^-1，解决了普通熔剂法KTP晶体由于离子电导率太大而无法用于电光应用领域的困难；对KTP晶体的生长条件、掺杂元素以及退火工艺等进行了研究，通过优化生长工艺技术参数，突破了工艺技术生长难关，得到了高光学均匀性、具有大Z切面的KTP单晶。 将KTP晶体加工后测试了它们的晶胞参数、透过率、光损伤阈值、掺杂元素分凝系数等，结果表明，经过掺杂的KTP晶体晶胞参数、透过率等基本没有变化，光学均匀性稍有下降，而激光损伤阈值却提高了3倍。 KTP晶体的电光应用试验表明：用离子交换法制作的电光波导，其离子交换浓度、折射率变化符合余弦误差函数，光学均匀性以及器件的温度稳定性较好；制作的强度调制电光开关，消光比为150：1，对1064nm激光的插入损耗为2.5％；制作的电光调制器用于激光脉冲整形试验，从脉冲宽度50ns的激光脉冲削出脉宽～1ns的高质量光脉冲，该电光开关经过长达三年多的使用，没有出现晶体变黑现象，说明本实验的低电导率KTP晶体能够耐受长时间的调制电压。制作的电光开关的光斩波实验，结果显示出正常的矩形开关光脉冲，上升和下降沿都是5ns，看不出任何振荡现象。 此外，用本实验的KTP晶体制作了体式高速行波电光调制器，半波电压760V，脉冲响应时间快到297ps。 电光应用试验结果表明，本实验的熔剂法KTP晶体是一种非常吸引人的电光材料，特别是适合用于高重复频率、高响应速度等激光系统。