【摘 要】
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碳纳米管具有极其独特的力学、热学和电学性能,自其1991年被Lijima发现以来,受到广泛关注。近年来,由于碳纳米管具有优异的场发射性能,期望将碳纳米管的巨大潜力应用在场效应晶体管、场发射显示器、单电子晶体管等纳米电子器件以及集成电路中作为互连线等方面。但要想制备这些电子器件,碳纳米管的合成温度必须低于基板材料所能承受的温度。例如,碳纳米管作为场致电子发射源,应用于冷阴极平面显示器上,那么纳米碳管
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碳纳米管具有极其独特的力学、热学和电学性能,自其1991年被Lijima发现以来,受到广泛关注。近年来,由于碳纳米管具有优异的场发射性能,期望将碳纳米管的巨大潜力应用在场效应晶体管、场发射显示器、单电子晶体管等纳米电子器件以及集成电路中作为互连线等方面。但要想制备这些电子器件,碳纳米管的合成温度必须低于基板材料所能承受的温度。例如,碳纳米管作为场致电子发射源,应用于冷阴极平面显示器上,那么纳米碳管的合成温度应低于显示器玻璃的转变温度550℃。但是,目前CNTs的生长温度一般都在800~1000℃,远
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