采用电化学方法研究电沉积机理已广泛报道,但就极化电位,溶解氧及固体颗粒表面物理化学特性对纳米晶Ni电沉积过程的影响尚不清楚。另外,金属晶粒尺寸对其氧化动力学有较大影响,但对其热生长氧化膜应力的影响还未进行系统研究。本论文针对以上两个方面开展研究,具体工作及主要结果如下:　　 采用电化学阻抗谱(EIS)方法研究了极化电位,溶解氧及不同Cr纳米粉对Ni电沉积过程的影响。结果表明:电解液未除氧条件下,极化电位为-0.8V/SCEA寸,电极过程由两个连续的电荷转移步骤组成；极化电位低于-1.0V/SCEB寸,阻抗谱呈现两个容抗弧和一个感抗弧,氢的吸附逐渐增强；电解液除O2后,极化电位为-0.8WSCE时,C1-在电沉积过程中能够在阴极上发生吸附,谱图中出现与C1-相关的感抗弧。与高H2分压下制备的Cr纳米粉相比,低H2分压下制备的Cr纳米粉更易与Ni共电沉积,这是由于低H2分压下制备的Cr纳米粉在电解液中自发生长的氧化膜薄且导电性增强,Ni2+易在其表面上快速还原,而将CrⅡ裹进沉积层中。　　 采用单面氧化弯曲法对晶粒度分别为微米晶、亚微米晶和纳米晶Ni的热生长氧化膜应力进行了研究。结果表明:800℃空气中氧化时,粗晶和亚微米晶Ni氧化膜的生长应力为压应力,均为先增大,再减小,最终趋于稳定,应力值达到稳定后,亚微米晶Ni和粗晶Ni的生长应力分别为-100MPa和-40MPa。而纳米晶Ni氧化膜生长应力为张应力,其变化趋势为先减小,其后逐渐增加,最后应力趋于稳定值75MPa。恒温初期,纳米晶氧化膜生长应力为张应力,是由于镀层中残余张应力的释放以及基体晶粒长大产生的张应力所导致。恒温一段时间后,测量的生长应力变化趋势与由氧化膜双层结构中等轴晶厚度与柱状晶厚度的比例随时间的变化推测出的纳米晶氧化膜应力变化相同。