论文部分内容阅读
微晶硅(μc-Si:H)薄膜在薄膜太阳电池和薄膜晶体管等大面积电子学方面具有明确的应用前景.由于具有高速沉积、气相利用率高和易晶化等特点,采用HWCVD技术制备大面积、优质μc-Si:H是当今研究热点之一.而大面积均匀性、高速沉积与薄膜致密性的统一是μc-Si:H薄膜在实际应用中的关键问题.该论文采用HWCVD技术研究了器件质量μc-Si:H薄膜的低温制备,取得了一些有意义的成果.