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在过去几十年间，因为环境湿度对工业、农业、气象、医药以及航空等方面都有着广泛的影响，所以科研工作者对其投入了相当多的注意力。湿度的变化对材料物理性能和化学性能都有着重要的影响。通过研究材料在不同湿度条件下的阻抗变化，可以为功能器件的制作及其性能稳定提供指导。本文就是通过离子掺杂改性的方法，研究了不同湿度下锆钛酸铋钠钾和GaN/Ga2O3复合体两种粉末材料阻抗变化。对于我们所做的研究，具体可分为以下两方面。(1)为了在研究不同湿度对ABO3型氧化物阻抗的影响，我们通过金属有机物分解技术制备了A位碱金属离子(Na+，K+离子)和B位锆离子共掺的ABO3型锆钛酸铋钠钾(BNKTZ)粉末材料。研究结论有以下两点。第一，A位的Na+，K+碱金属离子掺杂使BNKTZ材料的阻抗变化受湿度影响显著，而B位Zr4+过渡金属离子掺杂减小了材料的阻抗值，拓宽了阻抗测试的频率范围。第二，BNKTZ阻抗测试元件阻抗值随湿度变化的范围达四个数量级，响应恢复时间分别是18秒和60秒，最大湿滞约为4%RH。BNKTZ粉末材料是一种阻抗值受湿度影响十分明显的铁电材料。(2)为了研究不同湿度对Ga类化合物阻抗影响，我们通过热处理法制备了三个不同组分碱金属离子掺杂的GaN/Ga2O3复合体粉末样品。在不同湿度条件下，通过对比三个掺杂粉末和纯GaN粉末的阻抗变化，找到了拥有最大阻抗变化的Na+，K+离子双掺杂样品并测试了它的阻抗变化特性，得到了以下两个结论。第一，在GaN/Ga2O3复合物表面生成的氧化镓纳米棒与K+离子掺入有关，与Na+离子掺入无关。当Na+离子与K+离子同时掺杂时，Na+离子可以起到增强腐蚀GaN的作用。第二，Na+、K+离子双掺杂GaN/Ga2O3复合体阻抗测试元件的阻抗值变化范围在11%-95%RH间接近四个数量级，响应恢复时间是6秒和21秒，最大湿滞约为3%RH。这种短棒状的氧化镓是一种阻抗值受湿度影响十分明显光电材料。