在半导体制造业中,自对准金属硅化物被广泛应用在源、漏、栅极与金属之间的接触,在大规模和超大规模CMOS逻辑集成电路技术中起着非常重要的作用。随着晶体管集成度越来越高,器件尺寸越来越小,金属硅化物也不断地在发展变化。在进入65nm以及45nm技术节点以后,由于线宽效应的制约,业界转而采用硅化镍取代原有的硅化钴,以降低电阻值并减少漏电流,获得更高的器件性能。但由于镍原子比较活跃,并且硅化镍在高温下不稳定,会转变为高电阻相。而且镍原子容易发生过度扩散进入器件深处,严重影响器件性能并降低产品良率。通常采用添加其他金属元素来增强硅化镍的热稳定性。本文通过研究分析镍的扩散发生机制,针对镍硅化物工艺进行对比实验,优化了其制备工艺。实验分别对比了不同温度快速退火对镍扩散的影响,并通过调整溅射工艺参数,来比较不同条件下沉积的镍铂薄膜中铂含量以及它对镍扩散的影响;还对比研究了不同的镍硅化物制备工艺条件对镍扩散的影响。通过这些实验,找到了两种有效解决镍扩散问题的制备方案。在本项研究工作中,根据实际生产降低成本,提高效益的需求,选取降低退火温度增加镍铂沉积薄膜厚度的方案应用到实际生产工艺中,使产品的缺陷降低,良率和可靠性得到了有效提升。