真空蒸发制备稀土掺杂CdTe薄膜及其特性研究

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采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Nd、Dy掺杂的CdTe薄膜,在氮气气氛中,分别在300℃、400℃、500℃下对薄膜进行热处理,并采用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪及紫外可见分光光度计对薄膜的性质进行了测试。通过测试结果,分析并优化了CdTe薄膜的制备工艺,同时研究了稀土Nd、Dy掺杂对CdTe特性的影响。实验结果表明:高纯单质镉与碲按照原子配比Cd:Te=1:0.6混合蒸发,可制备较理想的纯CdTe薄膜。在氮气保护下,经过T=500℃,t=10min的热处理,可获得完全为CdTe
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