通过对改性的800合金（800M）在沸腾的热浓碱溶液中阳极极化曲线测试、合金试片恒电位极化以及控制电位下C形环试验并结合描电镜观察、表面膜俄歇电子能谱分析以及电位-pH图分析，研究了800M合金在含硫代硫酸钠杂质的热浓碱溶液中的应力腐蚀破裂（SCC）行为。 测量了800M合金恒电位极化时的稳定溶解电流密度i_st，在此基础上绘制了简化的模拟“稳态”恒电位极化曲线；若将这种极化曲线的i_st与低电位下稳态钝化电流密度i_p之比(R_PD=i_st/i_p)定义为极化溶解敏感指数，发现在对应于800M合金C形环在沸腾的50％NaOH+O.3％SiO₂+0.3％Na₂S₂O₃溶液中极化96h时发生碱性SCC的电位区（E=-30～40mV/SCE），试片与C形环的极化溶解敏感指数值很接近。综合快慢扫描阳极极化曲线、i_st和R_PD等电化学特征的有关信息，可对800M合金发生碱性SCC的电位区域进行电化学预测。 研究了800M合金在碱液中发生晶间腐蚀的（IGA）和沿晶应力腐蚀破裂（IGSCC）的机理，并探讨IGA对IGSCC的促进作用。发现在-500mV/SCE，整个表面发生的IGA是表面膜中Cr的相对含量低，保护性差，以及溶液中S₂O₃^2-还原成S^2-在晶界偏析，使晶界的化学活性增加，导致C形环晶界的溶解速率i_IG＞晶粒的溶解速率i_GC所致。在-40～40mV/SCE发生IGSCC，可能是由于Ni形成不稳定的氧化产物，使合金表面膜保护性能下降，在应力作用下，活性大的晶界溶解，形成的微裂纹沿晶界扩展而导致沿晶应力腐蚀破裂。800M合金表面已形成的IGA对IGSCC的萌生与扩展有促进作用，晶界是合金发生IGSCC的活性通路。