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目前,随着无线通信向高频化发展,要求微波滤波器具有小型化、高频化、集成化等特点。Ba(Zn1/3Ta2/3)O3(BZT)陶瓷具有介电常数高、品质因数高、谐振频率温度系数低等微波介电性能,被广泛用于微波器件和电路中。众所周知,BZT陶瓷的理论品质因数较高(Q=14000),但是其烧结温度高达1600℃,烧结过程中大量ZnO挥发,导致Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷微波介电性能变差,特别是品质因数远小于理论值。基于此,本论文在对相关文献进行深入研究的基础上,通过烧结品质因数较高的Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷,进一步制作了BZT陶瓷基板,最后通过ADS仿真设计和微细加工工艺,制备了可以应用于C波段(4～8GHz)的微带线滤波器。论文研究了BZT陶瓷的固相烧结工艺,重点讨论了掺杂低熔点化合物对降低BZT陶瓷的烧结温度,提高其品质因数的作用。研究结果表明：(1)通过固相烧结法制备未掺杂的Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷,烧结温度为1600℃,体密度ρ=7.015g/cm3,微波介电性能为：εr=29.6,Q×f=96000GHz (12GHz频率下),τf=0.5×10-6/℃(2) Ca-B-Si可以将Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结温度降低到1150℃,但是Ca-B-Si微晶玻璃疏松的结构使BZT陶瓷的微波损耗增大,品质因数因此降低,Q×f=80000GHz。(3)低熔点外掺物MnCO3可以将Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结温度降低到1250℃,并能抑制ZnO的挥发,提高B位离子1：2的有序度和品质因数。当MnCO3的含量为1%时,BZT陶瓷样品的微波介电性能为：εr=32.78,Q×f=149000GHz, τf=-0.14×10-6/℃o (4)掺杂ZrO2后,Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结温度降低到1300℃。当ZrO2的掺杂量为4mol%时,Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷样品具有较好的微波特性：εr=34.79,Q×f=124000GHz, τf=0.31×10-6/℃论文研究了微带线滤波器的设计和制作。首先选择掺杂1%的MnCO3烧结Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷,并把BZT陶瓷做成介质基板。通过仿真软件ADS设计了一个4阶微带线平行耦合带通滤波器,生成CAD版图,然后通过微细加工工艺制作了微带线滤波器,最后经过矢量网络分析仪Agilent E8463A对滤波器进行测试,测试结果表明：滤波器的中心频率f0=5.6GHz,通带带宽为200MHz,插入损耗小于3dB,满足设计指标,并实现了小型化。