太赫兹辐射在生物医学检测、物质识别以及空间通信等领域的优越特性渐渐引起人们的兴趣，而高质量的太赫兹源是所有研究与应用的基础。非线性差频方法产生太赫兹波具有输出线宽窄、零阈值、结构紧凑以及室温运转等优点，具有重要研究价值。差频过程的最关键组件是抽运源和非线性材料，本论文以差频输出功率表达式为切入点，分析了影响差频输出的主要因素，并着重研究了几种重要非线性晶体的差频特性，为便捷式和小型化太赫兹源的实现提供了理论依据。本论文的主要内容包括：（1）分析了影响差频转换效率和输出功率的主要因素，总结了实现相位匹配的方法，并分析了不同相位匹配方式的优缺点以及各自适用的晶体类型。（2）计算并分析了InP、CdTe和ZnTe在10.6μm附近的非共线匹配性能，研究了ZnSe共线匹配特性以及在1.064μm和10.6μm附近的非共线匹配特性，计算了CdSe在两波长处的共线匹配角度、走离角、允许角以及非临界匹配曲线等差频参数，研究了InP、CdTe和ZnSe在共线方式下的温度匹配特性，计算了DAST的匹配曲线。（3）着重研究了GaP晶体在共线方式时的匹配曲线、相位匹配带宽、温度特性以及输出功率特性，计算了GaP在近红外波长1.064μm和1.030μm附近的差频性能，并分别给出了实现宽带调谐输出的温度调谐方案，最后设计了一个在常温下搭建差频太赫兹源的实验，以产生367μm和215μm的太赫兹波。