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ZnO是一种具有光电、气敏、压电等特性优良的多功能材料,它在室温下具有较高的禁带宽度和激子束缚能,在可见光范围内具有很好的透光性,在透明电极、发光器件、太阳能电池、气敏传感器等方面具有潜在的应用价值。多年来一直受到物理、化学、材料、电子等领域的格外关注。本文采用溶胶凝胶法在Si、ITO和普通玻璃衬底上,制备了未掺杂ZnO薄膜,Cu、 Li、Ag单掺杂ZnO薄膜及Cu与Li和Ag与Li共掺杂ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外可见光分光光度计、电化学工作站等分析仪器,研究了溶胶浓度、掺杂量、退火温度等对ZnO和掺杂ZnO薄膜结晶质量、表面形貌、光透过性、导电性等方面的影响。论文主要内容如下：首先,我们研究了未掺杂锌溶胶浓度对ZnO薄膜结构、形貌和光电特性的影响,结果表明当溶胶浓度为0.8mol/L时,未掺杂ZnO薄膜获得了较好的光电性能。在此基础上,我们分别制备了不同掺杂浓度的Cu、Li、Ag单掺杂ZnO薄膜,并研究了掺杂量、退火温度等参数对ZnO薄膜光电性能的影响,结果表明经550℃大气退火2h, Cu、 Li、Ag的掺杂量分别为0.001at%,3at%,7at%时,单掺杂ZnO薄膜获得了较好的光电性能,与未掺杂ZnO薄膜相比,其导电性分别提高了约40倍、200倍和250倍,在可见光范围内其透光率分别达80%,95%,90%以上。其次,在综合性能较好的单掺杂ZnO薄膜基础上,我们分别制备Cu与Li共掺杂和Ag与Li共掺杂ZnO薄膜,研究了Cu与Li和Ag与Li不同摩尔比掺杂量对共掺杂ZnO薄膜综合特性的影响。结果表明经550℃大气退火2h,Cu与Li、Ag与Li、Li与Ag摩尔比均为1：20时,共掺杂ZnO薄膜获得较好的光电性能,与未掺杂ZnO薄膜相比,其导电性分别提高了6倍、150倍、300倍,在可见光范围内其透光率分别达85%,95%,90%以上。此外,本文还研究了不同掺杂源、不同基片及薄膜厚度等因素对薄膜结构、形貌及光电特性的影响,并对相应单掺杂、共掺杂ZnO纳米颗粒进行了研究。