论文部分内容阅读
ZnO是一种宽禁带半导体,在光电子、自旋电子和透明电子薄膜等诸多领域具有潜在的应用前景。最近研究发现,在ZnO中掺杂Co等3d过渡族金属元素,可以制备出居里温度高于室温的稀磁半导体。这类材料结合了光效应和磁效应,可以用来制作自旋发光二极管、自旋极化太阳能电池和磁光开关等器件,这将为信息技术带来革命性的变化。本文采用脉冲激光沉积技术(PLD),在单晶Si(100)衬底上制备出高c轴取向的ZnAlCoO薄膜,系统研究了不同Al、Co含量薄膜的结构、光学和磁学性能,并就制备工艺进行了探索,优化了工