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物理气相传输法生长的氮化铝晶体中缺陷发光研究
【摘 要】
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氮化铝(AlN)是直接带隙宽禁带(6.02 eV)化合物半导体,具有高热导率(3.4W·cm-1·K-1)和高击穿电场(1218 MV·cm-1)等特性,是发展深紫外光电器件和高压电子器件的优选材料之一。同时,AlN与氮化镓(GaN)的晶格失配率小且热膨胀系数相近,是外延生长高铝组分AlGaN材料的理想衬底。目前,基于AlN的光电器件和电子器件的性能尚远逊预期。除难以获得较高的有效掺杂之外,缺陷和
【出 处】
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深圳大学
【发表日期】
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2019年01期
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