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1.系统研究了碱金属氯化物(NaCl.KCl.RbCl.CsCl)在有机电致发光器件中对器件电流、亮度、发光效率等性能的影响。器件基本结构为：ITO/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/Al。修饰铝电极时,四种材料都提高了少子(电子)注入,进而提高器件的亮度和发光效率,且四种材料对应的器件性能基本一致。根据注入势垒Φ、注入电流密度J、效率η之间的关系：J∝exp(-φ/kBT)(热电子发射模型)J∝exp(-φ3/2/F)(量子隧穿模型)理论上定性地分析了碱金属氯化物作电子注入层有一个优化厚度。在Alq3中不同位置,除NaCl外,其余三种材料由于陷阱的空穴俘获效应,平衡了器件中的载流子浓度,从而提高了器件的发光亮度及效率,并且随着碱金属金属性的增强,器件的性能(主要是发光效率)越来越好,用绝缘隧穿模型较好地解释了这一现象。绝缘隧穿模型：绝缘层不同的带隙宽度EP使得电子注入势垒Φ的改变程度不同,依据载流子注入模型J∝exp(-φ/kBT)或J∝exp(-φ3/2/F),最终导致不同的电子注入电流密度J.,因而效率η也不同。具体内容还包括：KCl在Alq3中减缓器件效率的降低,提高器件的存储稳定性。采用不同的阳极(ITO.ITO/MoO3).阴极(Al.LiF/Al)分别组合,研究不同电极对KCl在Alq3中的器件性能的影响：Al做阴极(电子注入能力差)时,不管是ITO做阳极还是ITO/MoO3阳极,KCl都能提高器件的亮度和发光效率；而LiF/Al做阴极(电子注入能力较好)时,KCl没有提高器件的性能。原因如下：当Al做阴极时,器件中的空穴远远多于电子,KCl在Alq3中主要起俘获空穴的作用,平衡了载流子浓度；面LiF/Al做阴极时,KCl在Alq3中减少电子注入的作用强于空穴俘获作用,破坏了原有的载流子平衡。另外,用3nm Alq3:Rubrene(100:1)作为发光层探测发光区域时,KCl位于Alq3中任何位置,器件的光谱都没有变化。1.O mm厚的RbCl在Alq3中有绝缘效应。CsCl在Alq3/Al界面和在Alq3中,表现出与KCl.RbCl类似的性质。另外,在NPB中具有空穴阻挡效应；在NPB/Alq3界面,Cs和Alq3之间的电荷转移会导致激子的猝灭,降低了器件的发光亮度和效率。2.MOO3修饰ITO阳极,提高了空穴注入,降低器件的驱动电压和功耗。对MoO3层进行臭氧处理,能进一步降低器件的驱动电压。ITO/MoO3薄膜的方块电阻和x射线光电子能谱(XPS)谱图表明,臭氧处理降低了其方块电阻并提高了Mo、 O、In、C的结合能。MoO3使得ITO阳极与有机材料NPB之间形成(准)欧姆接触,形成空间电荷限制电流(space charge-limited current,简称SCLC).通过SCLC公式粗略计算了NPB不同厚度的空穴迁移率。结果表明,相同的电场下,空穴迁移率随着厚度的增加而增加,厚度达到300nm时迁移率趋于饱和。原因是：(1)能量无序度随着厚度的增加而减小,当厚度达到300nm时,能量无序度趋于饱和。无序度愈大,陷阱态愈多,迁移率愈小；(2)界面陷阱态随着厚度的增加对迁移率的影响变弱,当厚度超过300nm时,界面陷阱态的影响可忽略不计。