0.35μm垂直沟道UMOS功率器件的硅片制造工艺流程中,背金工艺是一步独特和关键的工艺步骤。在传统的背金工艺中,因为超薄硅片的过度研磨,金属附着面的粗糙度不匹配,单层金属蒸镀等问题直接降低了背面金属与硅片背面的粘附性,造成了硅片的早期失效。本文以提高背金工艺的可靠性和良率为课题,就硅片背面粗糙化和背面金属蒸镀工艺进行深入探讨,设置了改善工艺的条件。就背金工艺中产生的缺陷,提出了相应的解决方法。本文首先设置硅片背面粗糙化工艺,分别研究了酸液刻蚀和碱液刻蚀两套执行方案。得出:酸液中,体积配比为7:1的33% H F和70% HNO3再加水10%的腐蚀液中,硅片浸泡15分钟能得到最佳形貌的粗糙面,又具有易控制的刻蚀速度,适合于生产;碱液中,选择30% KOH水溶液,反应15分钟获得的硅片表面形貌较好,蚀坑大小深度适中,分布均允,适合下一步的金属沉积;把这两种配比的反应液体应用于大生产,实验数据证明酸液的解决方案优于碱液。然后设定了硅片背面粗糙化后重要的工艺步骤:背面金属蒸镀。通过多层金属(Ti,Ni,Ag)的系统选择,重新设定了工艺参数:预热到200℃再进行蒸镀的硅片比不预热直接蒸镀的硅片的背面金属层粘附性要好;当加入金属预熔的时间(Ti需1分钟,Ni需7分钟,Ag需3分钟),可以基本解决造成品质缺陷的金属颗粒的问题。最后总结了硅片背金工艺产生中发生的硅片弯曲,正面色差,背面金属剥落等各种缺陷,分析了形成原因,提出了相应的解决方法。本文构建与完善出了的一套完整硅片制造背金工艺流程。应用这个工艺流程和设定的参数生产的0.35μm硅基垂直沟道功率器件可靠性得到保障,产品合格率大大提高。达到了预期的目标。