【摘 要】
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硅因其高容量的特点一直是锂离子电池负极材料研究的热点,其理论比容量是传统石墨负极的11.3倍。但硅材料在嵌脱锂过程中会发生剧烈的体积变化,导致硅材料的粉化失活和固体电解质界面(SEI)膜反复破坏重建,大大降低了硅的循环寿命。因此,如何缓解硅材料的体积变化,成为了开发硅负极的重点。本课题通过贵金属辅助化学刻蚀法,先将硅颗粒刻蚀成多孔硅。为了进一步提升多孔硅的容量保持率,本课题又对多孔硅进行碳包覆。具
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硅因其高容量的特点一直是锂离子电池负极材料研究的热点,其理论比容量是传统石墨负极的11.3倍。但硅材料在嵌脱锂过程中会发生剧烈的体积变化,导致硅材料的粉化失活和固体电解质界面(SEI)膜反复破坏重建,大大降低了硅的循环寿命。因此,如何缓解硅材料的体积变化,成为了开发硅负极的重点。本课题通过贵金属辅助化学刻蚀法,先将硅颗粒刻蚀成多孔硅。为了进一步提升多孔硅的容量保持率,本课题又对多孔硅进行碳包覆。具体研究内容如下:(1)采用贵金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅,实验通过筛选硅颗粒(1μm、5μm和45μm)
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随着我国的航天实力稳步提升,对于航天用电机的运行特性也提出了更加严苛的要求,电机的运行工况也越来越复杂。永磁同步电机由于其良好的适用性和高效率等特点得到了广泛的应用。在雷达、卫星天线等应用环境中,需要电机运行在额定转速的10%以内而不出现抖动、爬行等现象。因此研究永磁同步电机的低速运行算法势在必行。在传统的永磁同步电机控制系统中,在电机轴端均需安装旋转变压器或是光电编码器、磁编码器用以获得电机的速
二氧化钛(TiO_2)是光催化领域中研究最多的半导体材料之一,具有氧化性强,热稳定性和化学稳定性良好,无毒且成本低廉等优点,但同时也存在禁带宽度大,可见光利用率低及光生载流子复合率较高等问题,严重制约其在光催化领域的进一步发展。为应对上述问题,本课题提出以硫磺为硫源来改性TiO_2,因此在α-S与TiO_2的异质结构建以及硫酸根修饰TiO_2方面,做了一些探索和研究,具体研究内容如下:1、以硫磺和
尼群地平(NT)是一种钙通道阻滞剂,属于第二代二氢吡啶类化合物,主要用于治疗高血压和冠心病。但是NT水溶性和生物利用度差,极大地限制了在人体内的吸收。因此,本文采用水溶性好、亲水基团多和高溶胀性的羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP K30)为载体,利用超临界CO_2抗溶剂法(SAS)制备固体分散体来提高NT生物利用度。采用SAS法成功制备NT/HPMC二元固体分散体和NT/HPM
半导体石墨相氮化碳(g-C_3N_4)作为一种不含金属组分的可见光光催化剂,由于其具有合适的能带结构、良好的化学稳定性,以及无毒、环境友好等优点,在光解水产氢产氧、光催化有机选择性合成以及光催化降解有机污染物等领域得到了广泛的关注和研究。但是,g-C_3N_4也存在着结晶度较低、比表面积较小及表面活性位点较少等问题。为解决上述问题,本论文在提高g-C_3N_4结晶度及其比表面积方面,做了一些探索和
本课题以内蒙古地区煤系高岭石为原料,采用置换插层法制备了系列高岭石插层复合物。利用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、热重-差热分析(TG-DTG)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对插层复合物进行了表征,确定了最佳插层工艺;将插层高岭石作为填料填充丁苯橡胶(SBR),研究了改性剂类型、改性剂用量及高岭石填充份数对复合材料的加工性能、机械力学性能、热阻隔及气体阻
半导体光催化技术是一种用于解决环境污染问题的绿色技术。TiO_2作为一种半导体材料,具有无毒、抗氧化能力强、生物相容性好等特点,是污水处理、空气净化、清洁氢能源生产、太阳能电池等环境领域应用的理想选择。但是,TiO_2也存在几个典型问题,导致其在光催化领域的应用受到限制。例如,禁带宽度较宽(3.2 e V),只能响应紫外光波段,对太阳光利用率低;光激发下产生的电子-空穴对复合率高,降低其光催化过程
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TiO_2因其廉价、无毒、良好的热稳定性和化学稳定性等物理化学性质,一直受到研究者们的青睐。但是光利用效率较低和光生载流子复合率较高的缺点限制了其在实际中的应用。因此拓展TiO_2的光响应范围以及抑制光生载流子的复合是提高其光催化活性的关键。针对上述两点,本文利用表面氟化的方法调整TiO_2的能带结构、电子迁移和表面化学性质,以提升其光催化活性。相应的研究工作主要有以下两个方面:(1)以钛酸四丁酯
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