空间系统、军事、电力、通信、微机系统的工作元器件通常会长时间处在辐射环境中，容易受到辐射影响而导致系统材料损伤和性能退化，影响系统与其分系统的工作效率，并影响器件寿命和任务可靠性。因此，科学合理地验证和评价复杂系统或器件的抗辐射性能，分析和改进系统抗辐射加固设计，对保证系统及相应器件完成任务能力具有重要意义。但是，由于试验经费、试验条件等因素的制约，上述复杂系统很难有大量的样本可供试验，只能进行能进行少量的关键部件抗辐射性能验证实验。因此，需要针对系统辐射试验样本量小和试验困难的工程实际，开展小子样多因素复杂系统抗辐射性能评估方法及应用研究，分析和改进系统抗辐射加固设计，以保证系统试验或作战任务成功。　　在研究系统的抗辐射能力时，一般首先对系统进行分解，由系统到分系统，由分系统到组合件，直至分解到辐射引起损伤的具体器件和材料，研究器件和材料在辐射环境下的抗辐射性能是进行系统抗辐射能力评估工作的基础和前提。单元抗辐射性能模型描述单元在规定的辐射环境下和规定的时间内，其性能满足要求和完成规定功能的能力。建立空间辐射环境下单元抗辐射性能模型，也是建立系统抗辐射性能模型、评估系统抗辐射性能的基础。本文针对单元抗辐射评估问题，主要开展了以下研究工作：　　（1）详细分析了复杂系统及相关元件的空间辐射环境及其单元的辐射效应，以及基本的空间辐射环境数值模拟方法、三种类型的抗辐射性能试验数据（成败型数据、失效数据、退化数据）特征及其对应的评估方法。　　（2）对于以概率分布描述其抗辐射性能的电子元器件，如电阻器、电容器、晶体管、二极管以及集成电路等，本文根据数据类型的不同，提出了三种基于概率分布的单元抗辐射评定模型，包括基于成败型数据、Weibull分布和对数正态分布的模型，并对其进行了参数估计，以描述辐射条件下产品失效/生存概率与辐射水平的关系，即在规定的辐射水平下产品因辐射损伤而失效的概率。计算单元抗辐射能力指标大于给定的指标要求的验后概率；对给定的置信度，计算单元抗辐射能力指标的置信下限等。　　（3）以辐射剂量为自变量、其它因素如剂量率、偏置条件等为协变量，建立部件辐射敏感参数随辐射剂量（或其他等效剂量如非电离能损）退化的性能退化模型。提出三种基于性能退化的模型，包括退化轨道模型、基于Winner退化过程和Gamma退化过程的性能退化模型，计算单元失效时的辐射剂量的概率分布，任意辐射剂量下单元的性能或辐射敏感参数的分布，以及单元性能超过或低于特定值的概率。　　（4）从不同条件、不同类型、不同来源数据融合的角度，研究基于Bayes原理的数据融合方法，以融合不同类型和来源的抗辐射性能数据，评估单元在规定的辐射总剂量条件下的抗辐射性能、生存概率。　　（5）以广泛应用于空间系统、军事、电力、通信、微机系统等诸多领域的金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET为实例，分析了 MOSFET器件的工作原理及辐射损伤机理，并用本文构建的单元抗辐射性能评估模型对试验数据进行分析，评估其抗辐射性能。　　在文章的最后，总结了全文的研究内容并对进一步的工作进行了展望。