随着石油、煤炭等化石燃料的日益消耗和环境问题的日益突出，太阳能发电技术作为可替代能源的一种，正越来越受到人们的关注。虽然目前太阳能电池材料众多，但是单晶硅电池在未来10～20年内仍将占据市场主要份额。本文重点建立光照产生率的表达式以及以掺杂浓度为主要研究参数对p-区、n-区扩散电流密度，空间电荷区电流密度、短路电流密度，开路电压、填充因子与转换效率的影响。光照产生率G(x)决定太阳电池的性能，但是众多文献只给出产生率的定义式，并未见其具体形式。文章采用标准光谱分布数据与硅材料吸收系数模型经过计算大量离散值并拟合得到产生率的具体表达式。目前计算单晶硅太阳能电池性能的软件多为PC1D或AMPS等，但是从软件模拟中无法得到掺杂浓度等因素对p-区、n-区扩散电流密度，空间电荷区光生电流密度以及反向饱和电流密度的影响。对于短路电流密度等性能影响大多也只作出二维图形。文章在肖克莱模型的基础之上，主要运用光生载流子迁移率模型、寿命模型、硅材料吸收系数模型等逐步计算，最后得到掺杂浓度对电池各主要部分电流密度以及主要性能参数如短路电流、开路电压等的影响，而且三维图形更能清晰、具体、综合的表现出掺杂浓度对电池性能的影响。其中解决单晶硅电池产生率以及掺杂浓度对电池性能综合影响的方法不仅可为研究其它种类材料太阳电池提供借鉴，也可为实际电池制造过程中在掺杂浓度上的数据参考。