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本文研究了非化学计量比以及A、B位掺杂对层状钙钛矿型铁电材料SrBi2Nb2O9(SBN)陶瓷的晶体结构、微观形貌、铁电和介电性能的影响，以探究掺杂对此类铁电材料的性能，特别是剩余极化影响的机理，指导设计应用于非挥发性铁电随机存储器(FRAM)的新型铁电材料。文章通过不同掺杂样品在100kV/cm电场下的铁电测试表明，适量的掺杂能有效改善SBN的铁电性能。SrBi2(1+x)Nb2O9在x=0.1时剩余极化(2Pr)达到最大值，为17.88μC/cm2；在x=0.06时，优值因子提高了60％。Sr1-xBi2+xNb2O9在x=0.175时2Pr达到最大，为19.86μC/cm2材料的优值因子有较大提高，掺杂量到达0.15，优值因子提高了60％，同时居里温度随着掺杂量的增加而增加。适量的La掺杂显著提高了材料的剩余极化，当掺杂量达到0.125时，剩余极化2Pr由原来的14.1μC/cm2提高到22.8μC/cm2，材料的优值因子在掺杂量为0.1时提高近80％。W对B位离子的掺杂，在不改变材料居里温度的同时，矫顽场降低了近20％。