本文采用密度泛函平面波赝势方法对六方相碳化钨(WC)吸附于石墨烯表面、铂吸附于石墨烯表面、铂吸附于碳化钨表面共三个体系进行了理论研究,揭示了复合体的电子结构性质和构型,并利用电子结构数据和结合能等性质数据确定出它们的吸附特征及吸附稳定性。结果表明,在单层石墨烯的吸附体系中,CW/graphene构型中石墨烯表面原子与钨端表面原子有成键作用,而WC/graphene构型中石墨烯与碳化钨的碳端之间是范德华力作用,说明在与石墨烯结合时,钨端吸附在石墨烯上的构型更加稳定。对于碳化钨吸附在多层石墨烯上的体系,石墨烯和碳化钨钨端结合的复合体的界面之间有成键相互作用,而在碳化钨碳端原子吸附的石墨烯体系的界面间只是范德华作用。此外,在W端吸附于多层石墨烯的结构中,次外层石墨烯对吸附有一定的贡献,使得碳化钨与石墨烯的整体结合更加有利。对于铂吸附于碳化钨的体系,hcp-Pt/WC构型中界面的相互作用主要发生在石墨烯与碳化钨相邻界面之间,fcc-Pt/CW构型中界面的相互作用主要是铂层与碳化钨整体之间。计算结果表明碳化钨更容易与铂结合。本文也研究了石墨烯与碳化钨复合体的电子输运性质,选取了CW/graphene作为中间散射区、构建了以镍为电极的复合体。结果表明,在零偏压下自旋向上的构型有利于电子的输运。在一定的偏压范围内所得到的i-V曲线表明自旋对电流电压曲线的影响较小。