【摘 要】
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本文采用直流磁控溅射离子镀设备于单靶溅射条件下在单晶Si基底上制备了Cr镀层。采用SEM、表面轮廓测试仪及XRD观察了不同磁控管非平衡度状态下Cr镀层生长过程中形貌演化过程；采用四点探针法、纳米压入测试仪和表面轮廓测试仪分别对不同磁控管非平衡度和偏压状态下,不同靶基距处Cr镀层的导电性、纳米硬度、弹性模量及表面粗糙度等性能进行了测量；使用SEM、AFM及XRD方法对以上Cr镀层的微观组织、晶体结构
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本文采用直流磁控溅射离子镀设备于单靶溅射条件下在单晶Si基底上制备了Cr镀层。采用SEM、表面轮廓测试仪及XRD观察了不同磁控管非平衡度状态下Cr镀层生长过程中形貌演化过程；采用四点探针法、纳米压入测试仪和表面轮廓测试仪分别对不同磁控管非平衡度和偏压状态下,不同靶基距处Cr镀层的导电性、纳米硬度、弹性模量及表面粗糙度等性能进行了测量；使用SEM、AFM及XRD方法对以上Cr镀层的微观组织、晶体结构、应力状况、晶粒度等微观状态进行了分析。在以上检测的基础上,对检测结果进行了深入的分析,探讨了磁控管非平
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