【摘 要】
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本论文对45°偏转镜面发射半导体激光器结构进行了优化设计，具体考虑了两种45°偏转镜面发射半导体激光器：折叠腔面发射和组合式面发射，设计了具体的工艺过程。实验中对45°偏转
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本论文对45°偏转镜面发射半导体激光器结构进行了优化设计，具体考虑了两种45°偏转镜面发射半导体激光器：折叠腔面发射和组合式面发射，设计了具体的工艺过程。实验中对45°偏转镜面发射半导体激光器的980nm应变量子阱材料MBE生长和45°偏转镜制作进行了大量的实验探索和工艺优化研究。利用高能电子衍射、电化学C-V、扫描电镜(sem)、X射线双晶衍射仪、光荧光谱仪(PL)、原子力显微镜等多种方法对制备的器件进行了检测，同时对实验结果进行了必要的分析。在此基础上进行了面发射半导体激光器二维(2D)列阵的制备研究，初步获得了具有较低阈值电流密度和较高功率的45°偏转镜面发射阵列半导体激光器，为研制高可靠性、高功率、低阈值电流的面发射阵列半导体激光器奠定了一定的基础。
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