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本文利用球磨和退火两种简单方法进行了系统研究,表明晶格缺陷对光催化性能的影响。同时,用沸腾回流方法合成了的不同pH值的钼酸铋光催化剂,表明了不同形貌、结构的钼酸铋与光催化性能的关系,本论文选取ZnO和Bi2MoO6这两种不同类型的光催化剂作为研究对象,系统研究了ZnO晶格缺陷和不同pH值条件下回流法合成的钼酸铋对光催化性能的影响与规律。采用退火方法修复了球磨产生的缺陷型ZnO光催化剂,球磨使Zn O产生了大量缺陷,而退火能修复其中的部分缺陷。通过缺陷结构、种类和数目来调控光催化剂的价带电子态密度分布,影响能带间隙和光生电荷的分离和迁移,进而对光催化活性产生影响。利用多种科研技术揭示了表面缺陷和体相缺陷的结构和性质,揭示了缺陷状态与光电流及光催化降解过程的外在关系以及与光生电荷的分离与迁移的内在规律。当温度350度退火16小时,光催化活动达到最大,这是因为球磨产生的大量体相缺陷和非辐射缺陷导致催化活性的降低,退火方法可以有效修复球磨ZnO样品的部分晶格结构缺陷。利用回流方法在不同的pH值下合成了钼酸铋光催化材料,实验发现100度回流12小时,pH=6时的Bi2MoO6样品对MB的降解效果最好,此时是非常规整的片层结构,而pH=6.5时由于氧化铋颗粒生成,与钼酸铋形成异质结,不利于光催化效果的提高。而碱性条件下形成Bi3.64Mo0.36O6.55相对MB的光催化效率最低。