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射频/微波移相器做为调控电磁波相位的器件,是雷达探测、卫星通信、移动通信系统中的核心组件。与传统的移相器相比,RF MEMS移相器具有频带宽、损耗低、微型化、易于集成等特点,在射频电路,尤其是收发模块的应用中具有广泛前景。本文在分类介绍了加载线型RF MEMS相移器、开关线型RF MEMS相移器及反射型RF MEMS相移器的基础上,重点研究了一“位”数字式开关线型MEMS相移器及其重要组件--并联接触式MEMS开关。由于开关线型MEMS移相器的工作电压决定于并联接触式MEMS开关的下拉电压,本文利用双端固定、双端驱动的力电模型代替以往双端固定、单端驱动的力电模型对并联接触式MEMS开关的下拉电压模型进行了较为精确的理论修正。与实验结果比对表明:经修正的模型误差小于1%,较之传统模型10%的误差有很大提高。这是本文的创新工作之一。在双驱动模型的基础上,提出优化并联接触式MEMS开关的下拉电压可通过减小电极间距、降低初始桥高、减薄桥厚、缩短桥长及加宽电极宽度等方法。在多次流片的基础上,通过合理选材和设计优化工艺结构制备了一“位”数字式开关线型MEMS移相器。该移相器在10GHz的中心频率下,相移量为45. 27°(相误差为7. 9%),这是本论文的另一个创新工作。在50M-40GHz的全频段范围内,移相器相误差≤10%,插入损耗小于-1. 7dB。最后,本文对加载线型MEMS相移器进行了研究,设计制备的相移器在50M-40GHz的全频段范围内,插入损耗小于-3dB,相移范围在0°-250°之间。本文设计理论合理,选材、工艺安排及测试方案切实可行。理论分析方法、分析结论、工艺设计及实验结果、对并联接触式MEMS开关、数字式开关线型MEMS移相器及加载线型MEMS移相器器件下一步深入研究提出了建设性意见。