近年来，太赫兹技术蓬勃发展，对太赫兹探测器的研究也成为太赫兹领域的研究热点。太赫兹量子阱探测器作为太赫兹探测器中的一种，是红外探测器向太赫兹波段的延伸，其中蕴涵了丰富的物理现象，因此具有很高的研究价值。本学位论文研究了太赫兹量子阱探测器的设计和性能改善方面的问题。论文的研究成果对研制高性能的太赫兹量子阱探测器有重要的指导意义。本文的主要研究内容和成果如下： 1．根据太赫兹量子阱探测器的优化设计理论，计算了太赫兹量子阱探测器具体的设计参数；研究了太赫兹量子阱探测器响应率、暗电流、探测率等一些重要的性质，针对探测器的暗电流在15K后停止下降，提出了可能的改进方法。 2．研究了在极性晶体中由于布里渊区原点附近电磁波和横光学声子的强烈耦合所产生的剩余射线吸收带，并采用谐振子模型来计算半导体材料GaAs在该波段内的全部光学常数及晶格振动频率，给出了GaAs折射系数n(ω)和消光系数k(ω)关系曲线；我们考虑了GaAs光学声子在剩余射线吸收带的强烈吸收，改进了光响应谱计算的模型，在先计算了GaAs／AlGaAs量子阱探测器的吸收系数的情况下，又运用改进的模型计算了响应谱，并与实验结果进行比较发现在剩余射线吸收带附近，计算结果与实验结果的曲线图基本接近证明我们的模型能很好地考虑GaAs的光学声子吸收，对计算探测范围包括GaAs剩余射线吸收带的响应谱具有重要作用。 3．研究了稀磁半导体在研制磁场下可调谐太赫兹量子阱探测器方面的应用。我们以ZnSe／(Zn，Cd，Mn)Se量子阱为例给出了具体的设计参数，分别计算了该量子阱加磁场后的能带结构、自旋向上和自旋向下的吸收谱，并通过色散关系曲线研究了吸收谱发生变化的原因。当磁场从0T逐步上升到9T时，自旋向下的吸收峰峰位从44meV移到56meV，峰的高度增长了1.5倍，一直到更大强度的磁场使得sp-d交换作用饱和，峰位的移动和峰值的增长才会停止。这种良好的性能曲线以及比较大的可调范围都证明稀磁半导体作为磁场下可调谐太赫兹量子阱探测器的潜质。